Проектирование электроснабжения коттеджных поселков, квартир, коттеджей
разработка проектов ТП, КТП, РТП 6 (10, 35 кВ) / 0.4 кВ
По запросу на info@k-volt.ru предоставляем технико-коммерческое предложение на проектирование электроснабжения объекта в течении 3-х рабочих дней.

Полупроводник - термины и определения

Полупроводник — вещество, основным свойством которого является зависимость его электропроводности от воздействия внешних факторов (под внешними факторами понимаются температура, электрическое поле, излучения и т.д.). Для полупроводников характерен экспоненциальный рост электропроводности с увеличением температуры. Удельное сопротивление этих материалов находится в диапазоне от 10-3 до 1010—1012 Ом·см.

Собственный полупроводник — полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность.

Монокристалл — целостный кристалл с разориентацией блоков не более 1—2° который является трехмерным образованием из тождественных элементарных ячеек.

Аморфный полупроводник — полупроводник, характеризующийся отсутствием дальнего порядка в расположении атомов.

Дефект — искажение решетки реального кристалла, вызванное нарушением периодичности расположения атомов, последовательности в расположении атомных слоев, а также создаваемое введенными атомами примеси.

Энергетическая зона — область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника.

Разрешенная зона — энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла.

Запрещенная зона — область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике.

Зона проводимости — свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.

Свободная зона — разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры.

Валентная зона — верхняя из заполненных зон полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами.

Ширина запрещенной зоны — разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника.

Уровень Ферми — энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля.

Носитель заряда — частица, содержащая один или несколько электрических зарядов. Носителями заряда являются, например, электрон, протон, ион; термин относится условно также к дырке в полупроводнике.

Эффективная масса носителя заряда — величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение заряда в полупроводнике под воздействием внешнего электромагнитного поля.

Эффективное сечение захвата — величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата.

Подвижность носителей заряда — отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего.

Длина свободного пробега носителей заряда - среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителей заряда.

Коэффициент диффузии носителей заряда — отношение плотности потока к градиенту концентрации носителей заряда в отсутствие электрического и магнитного полей.

Диффузионная длина — расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз.

Скорость поверхностной рекомбинации — отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей j поверхности.

Собственная концентрация носителей заряда — концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике.

Легирование — процесс управляемого изменения физических свойств полупроводника путем введения примесей в решетку кристалла.

Легирующий элемент — химический элемент, атомы которого введены в решетку кристалла для изменения его свойств.

Акцептор — дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны.

Донор — дефект решетки, способный при возбуждении отдавать электрон в зону проводимости.

Акцепторная примесь — примесь, атомы которой являются акцепторами.

Донорная примесь — примесь, атомы которой являются донорами.

На правах рекламы:
Лучшие цены на коммерческий линолеум производства Таркетт. Предложение ограничено.